Категория: Полевые (FETs, MOSFETs)

Полевые (FETs, MOSFETs)

FDV301N транзистор transistor , onsemi
Арт: 37-FDV301N
7,00₽ Опт: 5,50₽

N-канальный полевой транзистор FDV301N Общее описание N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления FDV301N создан с применением запатентованной технологии DMOS компании onsemi, обеспечивающей высокую плотность ячеек. Данная технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии. Транзистор предназначен для низковольтных приложений и может служить заменой цифровым транзисторам. Благодаря отсутствию необходимости в резисторах смещения, один N-канальный …

FDV301N транзистор transistor , onsemiПодробнее…

Выберите параметры
SI2301CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishay
Арт: 33-SI2301CDS-T1-GE3
13,00₽ Опт: 9,51₽

Полевой транзистор SI2301CDS-T1-GE3 (VISHAY) Общее описание SI2301CDS-T1-GE3 — высококачественный N-канальный MOSFET-транзистор от компании VISHAY, предназначенный для применения в современной электронной аппаратуре. Транзистор отличается стабильностью работы и надежностью. Основные характеристики Электрические параметры Структура: N-канал Максимальные параметры: Напряжение сток-исток: 20 В Ток стока: 3.1 А (при 25°C) Импульсный ток стока: 10 А Сопротивление канала в открытом состоянии: 112 мОм Пороговое …

SI2301CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishayПодробнее…

Выберите параметры
PMV65XP транзистор transistor, nexperia
Арт: 35-PMV65XP
22,00₽ Опт: 13,90₽

PMV65XP: P-канальный MOSFET-транзистор Общее описание PMV65XP — это P-канальный полевой транзистор (MOSFET) с напряжением 20В, выполненный по технологии Trench MOSFET в компактном корпусе SOT23 (TO-236AB) для поверхностного монтажа. Основные характеристики Тип канала: P-канальный Максимальное напряжение сток-исток: 20В Корпус: SOT23 (TO-236AB) Технология: Trench MOSFET Особенности технологии Trench MOSFET обеспечивает: Улучшенные электрические характеристики Меньшие габариты устройства Повышенную …

PMV65XP транзистор transistor, nexperiaПодробнее…

Выберите параметры
SI2302CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishay
Арт: SI2302CDS-T1-GE3
44,00₽ Опт: 41,00₽

Полевой транзистор N-MOSFET в корпусе SOT-23 Общее описание N-канальный MOSFET-транзистор — полевой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для коммутации и управления нагрузками в электронных схемах. Основные характеристики Электрические параметры Структура: N-канал Максимальное напряжение: Сток-исток: 20 В Затвор-исток: ±8 В Максимальный ток: Сток-исток при 25°C: 2.6 А Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.057 Ом (при Id=3.6А, Vgs=4.5В) Максимальная рассеиваемая …

SI2302CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishayПодробнее…

Выберите параметры