Биполярный транзистор MMBTA56L (PNP) от onsemi Общее описание MMBTA56L — биполярный PNP-транзистор в корпусе SOT-23 от компании onsemi, предназначенный для применения в различных электронных схемах. Основные характеристики Электрические параметры Структура: PNP Максимальные напряжения: Коллектор-база: 80 В Коллектор-эмиттер: 80 В Эмиттер-база: 4 В Максимальный ток коллектора: -500 мА Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 250 мВ Рассеиваемая мощность: 225 мВт Частотные характеристики Предельная частота коэффициента …

MMBTA56LT1G транзистор, onsemiПодробнее…

Серия цифровых транзисторов MUN2211/MMUN2211L/MUN5211/DTC114EE/DTC114EM3/NSBC114EF3 Общее описание Данная серия цифровых транзисторов разработана как замена одиночного транзистора с внешней сетью смещения на резисторах. Транзистор со встроенным резистором смещения (BRT) представляет собой единый компонент, содержащий транзистор с монолитной схемой смещения, состоящей из двух резисторов: последовательного базового резистора и резистора база-эмиттер. Использование BRT-технологии позволяет исключить отдельные компоненты, объединив их …

MMUN2211LT1G Транзистор, Digital transistor, onsemiПодробнее…

Биполярный транзистор NPN Общее описание NPN-транзистор — биполярный транзистор структуры NPN в корпусе SOT-23, предназначенный для применения в различных электронных схемах. Основные характеристики Электрические параметры Структура: NPN Максимальные напряжения: Коллектор-база: 180 В Коллектор-эмиттер: 160 В Максимальный ток коллектора: 0.6 А Рассеиваемая мощность: 0.225 Вт Коэффициенты усиления Статический коэффициент передачи тока (h21э): не менее 80 Конструктивные особенности Корпус: SOT-23 Тип монтажа: SMD Количество …

MMBT5551LT1G Биполярный транзистор bipolar transistor, onsemiПодробнее…