Каталог товаров
- УЗК (устройство закладки кабеля)ffff
- Кабельные чулки
- Стандартные кабельные чулки c одной петлей (КЧС)
- Стандартные кабельные чулки с двумя петлями (КЧС/2)
- Разъемные (проходные) кабельные чулки с одной петлей (КЧР)
- Разъемные (проходные) кабельные чулки с двумя петлями (КЧР/2)
- Поддерживающие кабельные чулки (КЧП)
- Боковые кабельные чулки (КЧБ)
- Головные зажимы «чулок» для ВЛ (КЧГ)
- Кабельные чулки для УЗК (МЧ)
- Кабельные чулки для легкого кабеля (КЧЛ)
- Транзитные (соединительные) кабельные чулки (КЧТ)
- Тройные кабельные чулки (КЧ/3)
- Патч-корды оптические
- Кабельные сборки
- Кроссы оптические
- Пигтейлы оптические
- Розетки и коннекторы оптические
- Активное оборудование
- Измерительное оборудование
- Инструменты и расходные материалы
- Разветвители оптические
- Аттенюаторы оптические
- Муфты оптические
- Шкафы телекоммуникационные
- Кабельная арматура
- Кабель оптический
- Элементы СКС
- Cистемы уплотнения CWDM / DWDM
- Электронные компоненты
- Транзисторы
- Датчики
- Микросхемы
- DC-DC Преобразователи
- Аналоговые коммутаторы, Мультиплексоры, Демультиплексоры
- Источники опорного напряжения
- Коммутационные контроллеры
- Логические - Буферы, Драйверы, Приемники, Трансиверы
- Логические - Вентили и Инверторы
- Логические - Регистры сдвига
- Микроконтроллеры
- Микросхемы памяти
- Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки
- Полевые (FETs, MOSFETs)
- Стабилизаторы напряжения и тока
- Усилители – Инструментальные, Операционные, Буферные
- ЦАП
- Диоды
CLOSEВнимание!
Уточняйте ценыВ связи с нестабильной обстановкой цены на сайте могут быть неактуальны. Актуальную стоимость подтвердит менеджер:
-
Главная
- Каталог товаров
- Электронные компоненты
- Транзисторы
- Биполярные (BJTs)
- MMBT2907ALT1G биполярный транзистор Bipolar Transistor, onsemi
Артикул: 32-MMBT2907ALT1GMMBT2907ALT1G биполярный транзистор Bipolar Transistor, onsemi
Артикул: 32-MMBT2907ALT1G15,00₽
Опт: 5,70₽
Розничная цена:15,00₽ с НДС 22%Оптовая цена:5,70₽В связи с колебанием валют просим уточнять актуальную цену:ОПТ &
B2BОптовая скидка и партнерские цены: при объеме или статусе партнера действует специальный прайс.Быстрая отгрузка со склада в СПбПаспорт качества и гарантияБиполярный транзистор PNP 60В 0.6А в корпусе SOT-23
Общее описание
PNP-транзистор — биполярный транзистор структуры PNP, предназначенный для применения в различных электронных схемах. Транзистор выполнен в компактном корпусе SOT-23.
Основные характеристики
Электрические параметры
- Структура: PNP
- Максимальные напряжения:
- Коллектор-база: 60 В
- Коллектор-эмиттер: 60 В
- Максимальный ток коллектора: 0.6 А
- Рассеиваемая мощность: 0.3 Вт
Коэффициенты усиления
- Статический коэффициент передачи тока (h21э): не менее 100
Частотные характеристики
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
Конструктивные особенности
- Корпус: SOT-23
- Тип монтажа: поверхностный (SMD)
- Количество выводов: 3
Области применения
- Усилительные схемы
- Ключевые схемы
- Преобразователи напряжения
- Коммутационные устройства
- Драйверы нагрузок
Преимущества
- Высокое напряжение пробоя
- Хороший коэффициент усиления
- Компактные размеры корпуса
- Высокая частота работы
- Надежная конструкция
Рекомендации по применению
- Тепловой режим: учитывать максимальную рассеиваемую мощность
- Защита от перенапряжения: контролировать максимальные напряжения
- Токовые нагрузки: не превышать максимальный ток коллектора
- Обеспечение теплоотвода: при работе с близкими к максимальным параметрами
Особенности эксплуатации
- Монтаж: поверхностный
- Материал: кремний
- Конфигурация: однотранзисторная
- Режим работы: должен соответствовать максимально допустимым параметрам
Производитель 1 Onsemi
Похожие товары
-
SN74HC595DBR сдвиговый регистр shift register, texas instrument
Арт: 2-SN74HC595DBR100,00₽ Опт: 51,00₽Выберите параметрыРегистр сдвига SN74HC595 Общее описание SN74HC595 — 8-битный регистр сдвига с последовательным входом и параллельным выходом от Texas Instruments, выполненный на базе CMOS технологии семейства 74HC. Основные характеристики Логические параметры Тип регистра: последовательный в параллельный Количество бит: 8 Тип выхода: 3-состояние Количество схем: 4 Электрические параметры Напряжение питания: 2–6 В Максимальная рабочая температура: +85°C Минимальная рабочая температура: -40°C Интерфейсы Входы: Последовательный вход: 1 …
SN74HC595DBR сдвиговый регистр shift register, texas instrumentПодробнее…
-
PCM1754DBQR Цифро-аналоговый преобразователь Digital to Analog Converter, texas instruments
Арт: 5-PCM1754DBQR75,00₽ Опт: 50,32₽Выберите параметрыСемейство ЦАП PCM175x: Превосходное качество звука от Texas Instruments Профессиональные цифро-аналоговые преобразователи нового поколения PCM1753, PCM1754 и PCM1755 представляют собой передовое семейство стереофонических цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП), разработанных на базе инновационной дельта-сигма архитектуры компании Texas Instruments. Ключевые особенности семейства: Усовершенствованная дельта-сигма архитектура 4-го порядка 8-уровневое квантование амплитуды Исключительные динамические характеристики Повышенная устойчивость к джиттеру тактовой частоты …
-
SI2301CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishay
Арт: 33-SI2301CDS-T1-GE313,00₽ Опт: 9,51₽Выберите параметрыПолевой транзистор SI2301CDS-T1-GE3 (VISHAY) Общее описание SI2301CDS-T1-GE3 — высококачественный N-канальный MOSFET-транзистор от компании VISHAY, предназначенный для применения в современной электронной аппаратуре. Транзистор отличается стабильностью работы и надежностью. Основные характеристики Электрические параметры Структура: N-канал Максимальные параметры: Напряжение сток-исток: 20 В Ток стока: 3.1 А (при 25°C) Импульсный ток стока: 10 А Сопротивление канала в открытом состоянии: 112 мОм Пороговое …
-
AT24C256C-SSHL-T Микросхема памяти, Microchip
Арт: 41-AT24C256C-SSHL-T51,00₽ Опт: 48,00₽Выберите параметрыОписание микросхемы EEPROM памяти Общее описание Микросхема EEPROM представляет собой энергонезависимую память с возможностью многократной перезаписи, предназначенную для применения в автомобильной и промышленной электронике. Основные характеристики Диапазон напряжений питания: Grade 1: 2.5–5.5 В Grade 3: 1.7–5.5 В Конфигурации памяти: 16,384 x 8 бит (128 Кбайт) 32,768 x 8 бит (256 Кбайт) Температурный режим: Grade 1: от …
-
PIC16F886-I/SS CMOS микроконтроллер, microchip
Арт: 7-PIC16F886-I/SS550,00₽ Опт: 500,00₽Выберите параметрыМикроконтроллеры серии PIC16F Общее описание PIC16F — серия 8-битных микроконтроллеров от компании Microchip, реализующих архитектуру PIC® в различных вариантах корпусов и количества выводов, от компактных 14-выводных до многофункциональных 64-выводных устройств. Основные характеристики Архитектура и производительность Разрядность: 8 бит Тактовая частота: до 20 МГц Архитектура: PIC Память Flash-память программ: 14 Кбайт (8k x 14) EEPROM: 256×8 ОЗУ (RAM): 368×8 Аналоговая периферия АЦП: 11 каналов, …
-
SN74LVC1G3157DBVR аналоговый переключатель, analog switch, texas instruments
Арт: 19-SN74LVC1G3157DBVR10,00₽ Опт: 8,00₽Выберите параметрыАналоговый переключатель SN74LVC1G3157 Общее описание SN74LVC1G3157 — одноканальный однополюсный двухпозиционный (SPDT) аналоговый переключатель от Texas Instruments, предназначенный для работы в диапазоне напряжений питания от 1.65 В до 5.5 В. Устройство способно работать как с аналоговыми, так и с цифровыми сигналами. Основные характеристики Электрические параметры Сопротивление канала в открытом состоянии: максимум 15 Ом Напряжение питания: 1.65–5.5 В Максимальная амплитуда передаваемых …
SN74LVC1G3157DBVR аналоговый переключатель, analog switch, texas instrumentsПодробнее…
-
SI2302CDS-T1-GE3 транзистор transistor, vishay
Арт: SI2302CDS-T1-GE344,00₽ Опт: 41,00₽Выберите параметрыПолевой транзистор N-MOSFET в корпусе SOT-23 Общее описание N-канальный MOSFET-транзистор — полевой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для коммутации и управления нагрузками в электронных схемах. Основные характеристики Электрические параметры Структура: N-канал Максимальное напряжение: Сток-исток: 20 В Затвор-исток: ±8 В Максимальный ток: Сток-исток при 25°C: 2.6 А Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.057 Ом (при Id=3.6А, Vgs=4.5В) Максимальная рассеиваемая …
-
PMV65XP транзистор transistor, nexperia
Арт: 35-PMV65XP22,00₽ Опт: 13,90₽Выберите параметрыPMV65XP: P-канальный MOSFET-транзистор Общее описание PMV65XP — это P-канальный полевой транзистор (MOSFET) с напряжением 20В, выполненный по технологии Trench MOSFET в компактном корпусе SOT23 (TO-236AB) для поверхностного монтажа. Основные характеристики Тип канала: P-канальный Максимальное напряжение сток-исток: 20В Корпус: SOT23 (TO-236AB) Технология: Trench MOSFET Особенности технологии Trench MOSFET обеспечивает: Улучшенные электрические характеристики Меньшие габариты устройства Повышенную …
-
AT24C64D-SSHM-T Микросхема памяти, microchip
Арт: 30-AT24C64D-SSHM-T54,00₽ Опт: 49,00₽Выберите параметрыТехнические характеристики микросхемы памяти Электрические параметры Диапазон напряжений питания: Grade 1: 2.5–5.5 В Grade 3: 1.7–5.5 В Внутренняя организация Доступные конфигурации: 4096 × 8 бит (32 Кбит) 8192 × 8 бит (64 Кбит) Температурный режим Диапазоны рабочих температур: Grade 1: от −40 °C до +125 °C Grade 3: от −40 °C до +85 °C Интерфейс …
-
LM358ADGKR двойной операционный усилитель, dual operational amplifier, texas instruments
Арт: 18-LM358ADGKR14,00₽ Опт: 10,00₽Выберите параметрыОперационный усилитель LM358A Общее описание LM358A — прецизионный операционный усилитель с частотой единичного усиления 700 кГц, выпускаемый компанией Texas Instruments. Устройство предназначено для применения в схемах, требующих высокой точности и надежности. Основные характеристики Тип усилителя: высокоточный Количество каналов: 2 Технология: биполярная Корпус: VSSOP-8 (MSOP) Вес: 0.16 г Электрические параметры Полоса пропускания (GBP): 700 кГц Коэффициент …
LM358ADGKR двойной операционный усилитель, dual operational amplifier, texas instrumentsПодробнее…
-
FDV301N транзистор transistor , onsemi
Арт: 37-FDV301N7,00₽ Опт: 5,50₽Выберите параметрыN-канальный полевой транзистор FDV301N Общее описание N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления FDV301N создан с применением запатентованной технологии DMOS компании onsemi, обеспечивающей высокую плотность ячеек. Данная технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии. Транзистор предназначен для низковольтных приложений и может служить заменой цифровым транзисторам. Благодаря отсутствию необходимости в резисторах смещения, один N-канальный …
-
BAT54T1G диоды Шоттки Schottky Diodes, onsemi
Арт: 8-BAT54T1G10,00₽ Опт: 5,21₽Выберите параметрыДиоды Шоттки BAT54T1G и SBAT54T1G Общее описание Диоды Шоттки предназначены для высокоскоростных коммутационных приложений, защиты цепей и ограничения напряжения. Благодаря крайне низкому прямому падению напряжения минимизируются потери на проводимость. Компактный корпус для поверхностного монтажа идеально подходит для портативных устройств с ограниченным пространством. Основные характеристики Скорость переключения: сверхвысокая Прямое падение напряжения: 0.35 В (тип.) при токе 10 мА Префикс …
Каталог
УЗК (устройство закладки кабеля)
Кабельные чулки
Патч-корды оптические
Кабельные сборки
Кроссы оптические
Пигтейлы оптические
Розетки и коннекторы оптические
Активное оборудование
Измерительное оборудование
Инструменты и расходные материалы
Разветвители оптические
Аттенюаторы оптические
Муфты оптические
Шкафы телекоммуникационные
Кабельная арматура
Кабель оптический
Элементы СКС
Cистемы уплотнения CWDM / DWDM
Электронные компоненты
Товар добавлен в смету! Перейти к расчету → - Кабельные чулки




















